1. NTMFS5832NLT1G
  2. NTMFS5832NLT1G
  3. NTMFS5832NLT1G
  4. NTMFS5832NLT1G
  5. NTMFS5832NLT1G
  6. NTMFS5832NLT1G

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTMFS5832NLT1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin DFN EP T/R

内部编号

277-NTMFS5832NLT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:1391
1500+¥2.532
最小起订量:1500
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:2756
1+¥5.265
10+¥4.3898
100+¥2.8308
1000+¥2.2633
1500+¥1.9077
4500+¥1.8393
9000+¥1.8325
24000+¥1.7231
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#3

数量:1391
5+¥5.598
50+¥4.726
250+¥3.626
500+¥3.518
1250+¥3.486
最小起订量:5
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTMFS5832NLT1G产品详细规格

规格书 NTMFS5832NLT1G datasheet 规格书
NTMFS5832NLT1G datasheet 规格书
NTMFS5832NL
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 20A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.2 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 51nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2700pF @ 25V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商器件封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated CR 88
D00830

NTMFS5832NLT1G系列产品

NTMFS5832NLT1G相关搜索

订购NTMFS5832NLT1G.产品描述:Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin DFN EP T/R. 生产商: on semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-62155488
    010-82149488
    010-82149921
    010-82149008
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-68796728
    0512-67683728
    0512-67684200
    0512-67687578
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com